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MMUN2212LT1G中文资料

MMUN2212LT1G图片

MMUN2212LT1G外观图

  • 大小:139.2KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: TRANSISTOR, DIGITAL, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:-250mV; Continuous Collector Current Ic Max:100mA; Current Ic Continuous a Max:100mA; Current Ic hFE:5mA; Hfe Min:60; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23; Pin Configuration:1; Power Dissipation Pd:246mW; Power Dissipation Ptot Max:200mW; Resistance R1:22kohm; Resistance ...
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧):22k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧):22k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):60 @ 5mA,10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):500nA
  • 频率 - 转换:-
  • 功率 - 最大:246mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:MMUN2212LT1GOSMMUN2212LT1GOS-NDMMUN2212LT1GOSTR

MMUN2212LT1G供应商

更新时间:2023-01-06 20:38:44
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